کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9786000 | 1512662 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Full vectorial finite element analysis of semiconductor lasers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The accurate full vectorial finite element based imaginary distance beam propagation method (IDVFEBPM) is applied to the modal analysis of semiconductor laser structures. The effects of the waveguide structure dimensions, the imaginary part of the refractive index of the active region and the carrier concentration on the fundamental mode effective index, gain and confinement factor are thoroughly examined and explained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 248, Issues 1â3, 1 April 2005, Pages 221-228
Journal: Optics Communications - Volume 248, Issues 1â3, 1 April 2005, Pages 221-228
نویسندگان
A. Assalem, S.S.A. Obayya, H.S. Al-Raweshidy,