کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9786085 | 1512665 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of free carrier refraction due to linear absorption on Z-scan study of porous Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We analyze the limitations imposed by free carrier refraction induced by the sample linear absorption in determination of nonlinear refractive index in porous silicon by the Z-scan technique. By simulation we show that for picosecond laser pulses there is a strong contribution to the Z-scan signal due to free carriers generated by linear absorption even in highly transmitting sample. By simulating various experimental conditions we show that for femtosecond pulses the contribution due to bound electronic nonlinearity is significant for samples with small two-photon absorption coefficient.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 246, Issues 4â6, 15 February 2005, Pages 421-427
Journal: Optics Communications - Volume 246, Issues 4â6, 15 February 2005, Pages 421-427
نویسندگان
K.S. Bindra,