کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9786167 | 1512667 | 2005 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The origin of the transverse relaxation time in optically excited semiconductor quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The origin of the transverse relaxation time in optically excited semiconductor quantum wells is investigated based on the vector property of the interband transition matrix elements. The dephasing rate due to carrier-carrier (CC) scattering is found to be equal to half of the common momentum relaxation rate. The analytical expression of the polarization dephasing due to CC scattering in two-dimension is established and the dependence of the dephasing rate Îcc on the carrier density N is determined to be Îcc = Constant · N1/2, which is used to explain the experimental results and provides a promising physical picture.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 245, Issues 1â6, 17 January 2005, Pages 271-280
Journal: Optics Communications - Volume 245, Issues 1â6, 17 January 2005, Pages 271-280
نویسندگان
Hai-Chao Zhang, Wei-Zhu Lin, Yu-Zhu Wang,