کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9793042 | 1513960 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio phonon dispersion calculations for TixGanAsm and TixGanPm compounds
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have calculated and predicted the phonon dispersion and phonon density of states of GanAsmTi and GanPmTi half-metallic semiconductor compounds using an eight-atom simple cubic cell structure. We use the ab initio density functional frozen phonon method in the LDA and GGA approximation. We have first determined the phonon spectra of GaAs and GaP and found very good agreement with experimental results. We find that (i) in all GanAsmTi and GanPmTi cases studied, the acoustic modes could be easily identified with the phonon modes of GaAs and GaP respectively, and (ii) additional Ti high frequency optical modes appear well separated in all the Brillouin zone for Ga3As4Ti and Ga3P4Ti semiconductor compounds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 33, Issues 1â3, April 2005, Pages 118-124
Journal: Computational Materials Science - Volume 33, Issues 1â3, April 2005, Pages 118-124
نویسندگان
P. Palacios, P. Wahnón, C. Tablero,