کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9793048 | 1513960 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-energy P+ ion channeling and implantation into Si(1Â 1Â 0), SiC(1Â 1Â 0), GaP(1Â 1Â 0) and GaAs(1Â 1Â 0)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A comparative investigation of 1-5Â keV P+ ions channeling in thin (ÎZÂ =Â 500Â Ã
) and thick Si(1Â 1Â 0), SiC(1Â 1Â 0), GaP(1Â 1Â 0) and AsGa(1Â 1Â 0) crystals has been carried out by computer simulation in the binary collision approximation. The ion ranges, energy losses, angular and energy distributions, as well as depth profile distribution have been calculated. It is shown that for paraxial part of a beam the main contribution to the total energy losses comes from inelastic ones. A detailed investigation was carried out on the energy losses of ions transmitted through thin crystal and on the depth profile versus the structure and composition of single crystal. It has been established that energy and depth profile distributions depend on width of channel in the direction ã1Â 1Â 0ã and mass of target atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 33, Issues 1â3, April 2005, Pages 148-152
Journal: Computational Materials Science - Volume 33, Issues 1â3, April 2005, Pages 148-152
نویسندگان
A.M. Rasulov, A.A. Dzhurakhalov,