کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9796085 | 1514941 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the core structures of dislocations in semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Dislocations in silicon are nucleated under high stresses as perfect ones in the shuffle set. It is shown that the same nucleation mechanism operates in hexagonal 4H-polytype SiC but, in contrast to silicon, perfect-shuffle configurations are unstable and transform by cross-slip into glide set dislocations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: A - Volumes 400â401, 25 July 2005, Pages 97-100
Journal: Materials Science and Engineering: A - Volumes 400â401, 25 July 2005, Pages 97-100
نویسندگان
Jacques Rabier, Jean-Luc Demenet, Marie-Françoise Denanot, Xavier Milhet,