کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9796085 | 1514941 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the core structures of dislocations in semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: On the core structures of dislocations in semiconductors On the core structures of dislocations in semiconductors](/preview/png/9796085.png)
چکیده انگلیسی
Dislocations in silicon are nucleated under high stresses as perfect ones in the shuffle set. It is shown that the same nucleation mechanism operates in hexagonal 4H-polytype SiC but, in contrast to silicon, perfect-shuffle configurations are unstable and transform by cross-slip into glide set dislocations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: A - Volumes 400â401, 25 July 2005, Pages 97-100
Journal: Materials Science and Engineering: A - Volumes 400â401, 25 July 2005, Pages 97-100
نویسندگان
Jacques Rabier, Jean-Luc Demenet, Marie-Françoise Denanot, Xavier Milhet,