کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9801871 | 1515732 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Light-induced creation of hydrogen-pairs in a-Si:H
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The light-induced creation of hydrogen-pairs in a-Si:H is investigated, using a previous model of the light-induced creation of dangling bonds in a-Si:H. The formation of hydrogen-pairs is reasonably accounted for in comparison with the observation of the doublet in nuclear magnetic resonance spectra in a-Si:H by Su et al. The spin-lattice relaxation time of hydrogen-pairs observed above 7Â K by Su et al. is discussed in terms of the presence of a normal dangling bond located near a hydrogen-pair.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issues 11â12, December 2005, Pages 616-620
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issues 11â12, December 2005, Pages 616-620
نویسندگان
K. Morigaki, H. Hikita,