کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9801871 1515732 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Light-induced creation of hydrogen-pairs in a-Si:H
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Light-induced creation of hydrogen-pairs in a-Si:H
چکیده انگلیسی
The light-induced creation of hydrogen-pairs in a-Si:H is investigated, using a previous model of the light-induced creation of dangling bonds in a-Si:H. The formation of hydrogen-pairs is reasonably accounted for in comparison with the observation of the doublet in nuclear magnetic resonance spectra in a-Si:H by Su et al. The spin-lattice relaxation time of hydrogen-pairs observed above 7 K by Su et al. is discussed in terms of the presence of a normal dangling bond located near a hydrogen-pair.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issues 11–12, December 2005, Pages 616-620
نویسندگان
, ,