کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9801929 | 1515735 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic Raman scattering in quantum dots revisited
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electronic Raman scattering in quantum dots revisited Electronic Raman scattering in quantum dots revisited](/preview/png/9801929.png)
چکیده انگلیسی
We present theoretical results concerning inelastic light (Raman) scattering from semiconductor quantum dots. The characteristics of each dot state (whether it is a collective or single-particle excitation, its multipolarity, and its spin) are determined independently of the Raman spectrum, in such a way that common beliefs used for level assignments in experimental spectra can be tested. We explore the usefulness of below band gap excitation and an external magnetic field to identify charge and spin excited states of a collective or single-particle nature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 135, Issues 9â10, September 2005, Pages 554-562
Journal: Solid State Communications - Volume 135, Issues 9â10, September 2005, Pages 554-562
نویسندگان
Alain Delgado, Augusto Gonzalez, D.J. Lockwood,