کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9808646 | 1517354 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation and characterization of silicon films on flexible polymer substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Formation and characterization of silicon films on flexible polymer substrates Formation and characterization of silicon films on flexible polymer substrates](/preview/png/9808646.png)
چکیده انگلیسی
Polysilicon thin film transistors on flexible substrates are of considerable interest for applications in flexible displays. This paper investigates the formation of nanocrystalline silicon on flexible, transparent polymer substrates. An 800-nm layer of amorphous silicon was deposited on a polyimide substrate followed by a 20-nm layer of aluminum. Samples were rapid thermal annealed at 900 °C for 20 s, forming silicon nanocrystallites in a porous amorphous silicon film. The films were analyzed using Rutherford backscattering spectrometry, Raman Spectroscopy and cross-section transmission electron microscopy. A mechanism is proposed for the formation of silicon nanocrystallites and pores in the a-Si layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issues 8â9, April 2005, Pages 872-875
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issues 8â9, April 2005, Pages 872-875
نویسندگان
P.K. Shetty, N.D. Theodore, J. Ren, J. Menendez, H.C. Kim, E. Misra, J.W. Mayer, T.L. Alford,