کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9808649 | 1517354 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of vacancy in C54 TiSi2 using ab initio method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Investigated by ab initio plane-wave ultrasoft pseudopotential method based on generalized gradient approximation (GGA), it has been found that the formation energies of the vacancies in C54 TiSi2 largely depend on the atomic chemical potentials of Ti and Si. In Si-rich limit, the formation energies of the Si and Ti vacancy are 2.39 eV and 2.40 eV while they are 1.53 eV and 4.07 eV in Ti-rich limit, respectively. The introduction of Si or Ti vacancy only slightly changes total density of states (DOS) and it also causes no considerable charge transfer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issues 8â9, April 2005, Pages 885-888
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issues 8â9, April 2005, Pages 885-888
نویسندگان
T. Wang, Y.B. Dai, S.K. Ouyang, H.S. Shen, Q.K. Wang, J.S. Wu,