کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9817762 | 1518771 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Approaches to single wafer high current ion implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Single wafer processing is gaining increasing market acceptance for high current ion implantation, particularly for 65Â nm technologies. We review the reasons for this and discuss the two competing approaches to single wafer high current implant design. These are a broad beam, single axis mechanical scan approach and a spot beam, dual axis mechanical scan approach. We compare and contrast the design complexities of each as well as their advantages and limitations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 284-289
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 284-289
نویسندگان
A. Renau,