دانلود مقالات ISI درباره 61.72.t + ترجمه فارسی

Resonant Rutherford backscattering spectrometry for carbon diffusion in silicon

Keywords: 61.85; 66.30; 61.72.T; 61.72.JRutherford backscattering spectrometry; Diffusion; Silicon; Ion implantation; Vacancies

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The effect of implanting nitrogen on the optical absorption and electron paramagnetic resonance spectra of silica

Keywords: 78.66.J; 78.20.C; 61.72.T; Optical spectroscopy; Absorption; Silica; Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Enhancement of surface properties of biomaterials using plasma-based technologies

Keywords: 52.75.R; 52.65.R; 52.65.C; 61.72.T; Plasma processing; Biomaterials; Nickel-titanium shape memory alloys; Diamond-like carbon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Quality evaluation of resistivity-controlled silicon crystals

Keywords: 64.75; 61.72.T; A1. Characterization; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Simultaneous recrystallization, phosphorous diffusion and antireflection coating of silicon films using laser treatment

Keywords: 42.79.W; 61.43; 61.72.T; 61.80B; 68.35.FSilicon; Doping; Recrystallization; Antireflection coating

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Incorporation of boron in SiGe(C) epitaxial layers grown by reduced pressure chemical vapor deposition

Keywords: 81.15Gh; 61.72.T; Chemical vapor deposition; Epitaxy; SiGeC alloys; Boron doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Summary of recent research on gas cluster ion beam process technology

Keywords: 07.05.T; 36.40.W; 61.72.T; 68.35.G; 79.20.A; 79.20.R; 81.15.J; Gas cluster ion beam processing; Lateral sputtering; Smoothing; Ultra shallow implantation; Infusion doping; Thin film formation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Resistivity distribution of silicon single crystals using codoping

Keywords: 64.75; 61.72.T; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Approaches to single wafer high current ion implantation

Keywords: 85.40.R; 34.50.D; 41.75.I; 41.85.L; 61.72.T; 79.20.R; Ion implantation; Energy contamination; Angle control;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Resistivity distribution in bulk growth of silicon single crystals

Keywords: 64.75; 61.72.T; 02.70.D; 02.60; A1. Computer simulation; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation

Keywords: 81.65.M; 61.72.T; 68.35.F; SGOI; Thermal oxidation; H ions; Diffusion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Tuning for optimal performance in angle control, uniformity, and energy purity

Keywords: 34.50.D; 79.20.R; 85.40.R; 61.72.T; Ion implantation; Energy contamination; Angle control;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه