کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10674949 | 1010578 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
SGOI materials were fabricated by thermal dry oxidation of epitaxial H-ion implanted SiGe layers on SOI wafers. The hydrogen implantation was found to delay the oxidation rate of SiGe layer and to decrease the loss of Ge atoms during oxidation. Further, the H implantation did not degrade the crystallinity of SiGe layer during fabrication of the SGOI.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 234, Issue 3, June 2005, Pages 243-248
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 234, Issue 3, June 2005, Pages 243-248
نویسندگان
Xinli Cheng, Zhijun Chen, Yongjin Wang, Bo Jin, Feng Zhang, Shichang Zou,