کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9818135 | 1518776 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ni silicide layer formation using low-energy ion beams
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we report on an Si(1 1 1) surface irradiated with a mass-selected low-energy 58Niâ ion beam at 100 eV in order to form a Ni silicide layer. The Ni silicide phase formed at 230 °C in this study is Ni-rich Ni2Si, in contrast to Si-rich disilicide NiSi2, ordinarily formed when high-energy Ni ions or thermal Ni beams react with a heated Si substrate. In addition, this layer is formed epitaxially on Si even at a low substrate temperature of 230 °C, while conventional Ni-rich silicidation induces a polycrystalline Ni silicide layer. This suggests that the reaction of the silicide formation with energetic particles in a low energy region is different from that using higher or thermal energy particles.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 232, Issues 1â4, May 2005, Pages 338-342
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 232, Issues 1â4, May 2005, Pages 338-342
نویسندگان
Nobuteru Tsubouchi, Yuji Horino,