کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9818217 | 1518777 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New developments on the Surrey microbeam applications to lithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Investigations using MeV protons for lithography applications are being performed at the Ion Beam Centre of the University of Surrey, UK. High aspect ratio three dimensional structures have been produced by protons in gallium arsenide (GaAs) and Poly(methyl methacrylate) (PMMA). Structures produced in PMMA require significantly lower fluences than GaAs and behave positively to etching, whereas GaAs shows a negative behaviour. Variable fluence studies on GaAs show a transition from low to high aspect ratio three dimensional structures as the fluence increases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1â4, April 2005, Pages 428-432
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1â4, April 2005, Pages 428-432
نویسندگان
P. Mistry, I. Gomez-Morilla, G.W. Grime, R. Webb, C. Jeynes, R. Gwilliam, A. Cansell, M. Merchant, K.J. Kirkby,