کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9818221 | 1518777 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterisation of 60° misfit dislocations in SiGe alloy using nuclear microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper uses the transmission ion channeling technique on the NUS Singletron accelerator to map misfit dislocations at the interface of a SiGe layer epitaxially grown on a (0 0 1) silicon substrate. A bunch of five 60° dislocations and a single dislocation have been studied using a focused 2 MeV proton beam with a spatial resolution of 60 nm and good image statistics. The bent (1 1 0) planes due to 60° dislocations cause the image contrast to change asymmetrically while tilting the sample close to the channeling direction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1â4, April 2005, Pages 452-456
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1â4, April 2005, Pages 452-456
نویسندگان
L. Huang, M.B.H. Breese, E.J. Teo,