کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9818285 | 1518778 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiation damage induced by 5Â keV Si+ ion implantation in strained-Si/Si0.8Ge0.2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The damage distributions induced by ultra low energy ion implantation (5Â keV Si+) in both strained-Si/Si0.8Ge0.2 and normal Si are measured using high-resolution RBS/channeling with a depth resolution better than 1Â nm. Ion implantation was performed at room temperature over the fluence range from 2Â ÃÂ 1013 to 1Â ÃÂ 1015Â ions/cm2. Our HRBS results show that the radiation damage induced in the strained Si is slightly larger than that in the normal Si at fluences from 1Â ÃÂ 1014 to 4Â ÃÂ 1014Â ions/cm2 while the amorphous width is almost the same in both strained and normal Si.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 230, Issues 1â4, April 2005, Pages 230-233
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 230, Issues 1â4, April 2005, Pages 230-233
نویسندگان
T. Matsushita, W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, A. Agarwal, H.-J. Gossmann, M. Ameen,