دانلود مقالات ISI درباره Si تیره + ترجمه فارسی

Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si (100) substrates

Keywords: Si تیره; Molecular beam epitaxy; Strained Si; Ion implantation; Thermal stability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Impact of Si cap, strain and temperature on the hole mobility of (s)Si/sSiGe/(s)SOI quantum-well p-MOSFETs

Keywords: Si تیره; SiGe; Strained Si; Quantum-well; Hole mobility

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Optimization of uniaxial stress for high electron mobility on biaxially-strained n-MOSFETs

Keywords: Si تیره; Strained Si; Electron mobility; Uniaxial strain; Biaxial strain; Stress

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Strained Si and SiGe tunnel-FETs and complementary tunnel-FET inverters with minimum gate lengths of 50 nm

Keywords: Si تیره; Strained Si; Strained SiGe; TFET inverters; Trigate TFET; Short channel TFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Gate-all-around buckled dual Si nanowire nMOSFETs on bulk Si for transport enhancement and digital logic

Keywords: Si تیره; Multi-gate; Si nanowire; Local oxidation; Strained Si; Micro-Raman spectroscopy; Transport enhancement; Logic

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Radiation damage of Si1-xGex S/D p-type metal oxide semiconductor field effect transistor with different Ge concentrations

Keywords: Si تیره; Strained Si; Radiation damage; MOSFET; Electron; Hole mobility;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source

Keywords: Si تیره; Tunnel FET; Strained Si; Subthreshold swing; SiGe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

High mobility strained Si0.5Ge0.5/SSOI short channel field effect transistors with TiN/GdScO3 gate stack

Keywords: Si تیره; Strained Si; SiGe; High-k dielectrics; Silicon on insulator; Advanced MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of Arsenic ion implantation of patterned strained Si NWs

Keywords: Si تیره; Si nanowires; Strained Si; Ion implantation; Contact resistivity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Dopant incorporation in thin strained Si layers implanted with Sb

Keywords: Si تیره; Strained Si; Ion implantation; Sb incorporation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electrical characteristics of thermal CVD B-doped Si films on highly strained Si epitaxially grown on Ge(100) by plasma CVD without substrate heating

Keywords: Si تیره; Electron cyclotron resonance (ECR) plasma; Chemical vapor deposition (CVD); Epitaxial growth; Strained Si; Carrier mobility

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

DC and 1/f noise characteristics of strained-Si nMOSFETs using chemical–mechanical-polishing technique

Keywords: Si تیره; Low-frequency noise; Chemical–mechanical-polishing; Strained Si

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Impact ionization rates for strained Si and SiGe

Keywords: Si تیره; Impact ionization; Quantum yield; Strained Si; Strained SiGe; Anisotropic; Brillouin zone

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Gate length scaling trends of drive current enhancement in CMOSFETs with dual stress overlayers and embedded-SiGe

Keywords: Si تیره; Strained Si; Parasitic resistance; Scaling; Stressed overlayer; SiGe; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Formation of relaxed SiGe on the buffer consists of modified SiGe stacked layers by Si pre-intermixing

Keywords: Si تیره; 68.65.Hb; 61.66.Dk; 61.72.Lk; 68.37.Lp; Relaxed SiGe; UHVCVD; SiGe islands; Strained Si;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of two-dimensional electron gas (2DEG) in strained silicon for research on ultra-low energy electronic processes

Keywords: Si تیره; Electron gas; Strained Si; 2DEG; Electron mobility; Electron density;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of strain gradients on strain measurements using geometrical phase analysis in the transmission electron microscope

Keywords: Si تیره; Strained Si; Geometric phase analysis; Local strain measurement

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A universal electron mobility model of strained Si MOSFETs based on variational wave functions

Keywords: Si تیره; Strained Si; Mobility model; Variational wave function; Intervalley scattering; Phonon-limited mobility; Surface roughness scattering

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Efficient simulation of hole transport in strained Si and SiGe on insulator inversion layers

Keywords: Si تیره; Semiclassical transport; Fourier expansion method; Strained Si; Strained SiGe; Semiconductor-on-insulator; pMOS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Device performance and optimization of decananometer long double gate MOSFET by Monte Carlo simulation

Keywords: Si تیره; Double gate MOSFET; Short-channel effects; Monte Carlo simulation; Strained Si;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reliability study of ultra-thin gate oxides on strained-Si/SiGe MOS structures

Keywords: Si تیره; Strained Si; SiGe; Reliability; Gate oxide; Constant voltage stress

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A new method of fabricating strained Silicon materials

Keywords: Si تیره; strained Si; SiGe oxidation; strain relaxation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dislocation distribution in a strain-relaxed SiGe thin film grown on an ion-implanted Si substrate

Keywords: Si تیره; Strained Si; Strain relaxation; SiGe; Ion implantation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thickness-dependent stress-relaxation in thin SGOI structures and its improvement

Keywords: Si تیره; Strained Si; SiGe on insulator; Oxidation-induced Ge condensation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Strained Si channel NMOSFETs using a stress field with Si1−yCy source and drain stressors

Keywords: Si تیره; Strained Si; Mobility; SiC; Stressor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Radiation damage in electron-irradiated strained Si n-MOSFETs

Keywords: Si تیره; Strained Si; Electron irradiation; Degradation mechanism;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Improved CMOS performance via enhanced carrier mobility

Keywords: Si تیره; CMOS; SiGe; Strained Si; Lattice mismatched structures; Strain relaxation; Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of high-quality relaxed SiGe films with an intermediate Si1−yCy layer for strained Si n-MOSFETs

Keywords: Si تیره; Silicon; Germanium; CVD; Strained Si

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Selective epitaxial growth of SiGe for strained Si transistors

Keywords: Si تیره; SiGe; Strained Si;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Strained Si engineering for nanoscale MOSFETs

Keywords: Si تیره; Relaxed SiGe; SGOI; Strained Si; Electron mobility; Post RTA

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

H+ implantation-enhanced stress relaxation in c-Si1−xGex on SiO2 during oxidation-induced Ge condensation process

Keywords: Si تیره; 85.30.Tv; 81.05.Cy; 81.65.Mq; 78.30.Am; 68.55.Jk; Strained Si; Virtual substrate; SGOI; MOSFET; Oxidation-induced Ge condensation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Observation of strain field fluctuation in SiGe-relaxed buffer layers and its influence on overgrown structures

Keywords: Si تیره; 81.05.Hd; 78.30; 61.72.Hh; SiGe; Strained Si; Strain distribution;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A comparative analysis of thermal gate oxide on strained Si/relaxed SiGe layer for reliability prediction of strained Si MOSFETs

Keywords: Si تیره; 73.40.Qv; 77.84.Bw; 85.40.−e; Strained Si; SiGe; Gate oxide; Reliability; Mobility; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Radiation damage induced by 5 keV Si+ ion implantation in strained-Si/Si0.8Ge0.2

Keywords: Si تیره; 61.80.Jh; 61.82.Fk; Ion implantation; Strained Si; Radiation damage; Two beam analysis;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characterization of strained Si wafer surface by density functional theory analysis

Keywords: Si تیره; Strained Si; DFT calculation; Surface reactivity; Trace metal deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Changes in elastic deformation of strained Si by microfabrication

Keywords: Si تیره; Strained Si; SiGe; Raman spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The use of Raman spectroscopy to identify strain and strain relaxation in strained Si/SiGe structures

Keywords: Si تیره; Strained Si; SiGe; Raman spectroscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication of strained Si nMOSFET transistors on thin buffer layers with selective and non-selective epitaxial growth techniques

Keywords: Si تیره; 85.30.Tv; 81.15.Gh; 73.61.Cw; Strained Si; SiGe; CVD; Selective epitaxial growth; nMOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Mobility-limiting mechanisms in single and dual channel strained Si/SiGe MOSFETs

Keywords: Si تیره; Strained Si; Mobility; Single-channel; Dual-channel; MOSFETs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels

Keywords: Si تیره; Mobility; SOI; Strained Si; Sub-band; Ballistic transport;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه