کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729011 | 1461438 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiation damage in electron-irradiated strained Si n-MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Strain Silicon (sSi) layers on strain-relaxed SiGe buffer layers are frequently used in order to boost up the carrier mobility. Recently, fabrication techniques based on the use of ultra-thin (300-400Â nm) SRB layers have been proposed. This study investigates the degradation of such sSi n-MOSFETs after 2-MeV electron irradiation. Owing to the electron irradiation, the drain current slightly increases and a negative shift of the threshold voltage is observed for an electron fluence of 1Ã1016Â e/cm2. The channel electron mobility degradation is about 4%, as derived from the input characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 4â5, AugustâOctober 2006, Pages 732-736
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 4â5, AugustâOctober 2006, Pages 732-736
نویسندگان
K. Takakura, H. Ohyama, K. Hayama, Y. Aoki, G. Eneman, P. Verheyen, E. Simoen, R. Loo, C. Claeys,