کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9821471 | 1518985 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of doping concentrations in very thin GaAs layers using micro-Raman spectroscopy on bevelled samples
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new method for determining the doping concentrations in very thin GaAs layers is presented. The method is based on the evaluation and calibration of the changes in ratio of transversal to longitudinal optical phonon intensities measured by micro-Raman spectroscopy at different positions along the bevel prepared through the examined structure. The doping concentrations measurements by micro-Raman spectroscopy on bevelled structures are in good agreement with SIMS depth profiling analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 80, Issues 1â3, 14 October 2005, Pages 20-23
Journal: Vacuum - Volume 80, Issues 1â3, 14 October 2005, Pages 20-23
نویسندگان
R. Srnanek, M. Vesely, A. Vincze, M. Florovic, J. Kovac, G. Irmer, P. Prunici, D.S. Mc Phail, B. Sciana, D. Radziewicz, M. Tlaczala,