کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9821510 | 1518985 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect production in γ-irradiated silicon at different temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
After irradiation at higher temperatures the vacancies become more mobile contributing to the formation of multivacancy-related defects. Besides formation of divacancies, a deep level at Ec-0.32Â eV has been detected in the DLTS spectra. This level is identified as a divacancy-oxygen V2O complex.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 80, Issues 1â3, 14 October 2005, Pages 223-228
Journal: Vacuum - Volume 80, Issues 1â3, 14 October 2005, Pages 223-228
نویسندگان
I. KovaÄeviÄ, B. Pivac,