| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 9821511 | 1518985 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Optical and structural investigation of GaNxP1âx/GaP structures for light emitting diodes
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													سطوح، پوششها و فیلمها
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												A new alloy GaNxP1âx with different nitrogen content (0.67%
											 
																						ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 80, Issues 1â3, 14 October 2005, Pages 229-235
											Journal: Vacuum - Volume 80, Issues 1â3, 14 October 2005, Pages 229-235
نویسندگان
												L. Peternai, J. KováÄ, J. JakaboviÄ, A. Vincze, A. Å atka, V. Gottschalch,