کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9821638 1518988 2005 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-ray diffraction studies of GaAs implanted with 1.5 MeV Se+ ions
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
X-ray diffraction studies of GaAs implanted with 1.5 MeV Se+ ions
چکیده انگلیسی
The comparative studies of similarly implanted Ge crystals did not exhibit the saturation of implantation induced strain. The amorphization of Ge crystals took place for relatively small dose of 6×1013cm-2. This difference is most probably caused by increased mobility of point defects observed close to 300 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 78, Issues 2–4, 30 May 2005, Pages 569-575
نویسندگان
, , , , ,