کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9821638 | 1518988 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-ray diffraction studies of GaAs implanted with 1.5Â MeV Se+ ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The comparative studies of similarly implanted Ge crystals did not exhibit the saturation of implantation induced strain. The amorphization of Ge crystals took place for relatively small dose of 6Ã1013cm-2. This difference is most probably caused by increased mobility of point defects observed close to 300Â K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 78, Issues 2â4, 30 May 2005, Pages 569-575
Journal: Vacuum - Volume 78, Issues 2â4, 30 May 2005, Pages 569-575
نویسندگان
Wojciech Wierzchowski, Krzysztof Wieteska, Walter Graeff, Andrzej Turos, Reiner Grötzschel,