کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9868390 | 1530689 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface optical phonon localization in graded GaN thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We use the macroscopic dielectric continuum model to calculate the dispersion relation of interface localized optical-phonon modes in GaN thin films grown on 6H-SiC or sapphire substrate, considering the presence of a multilayered AlxGa1âxN interfacial region between the film and the substrate. The main influence of the number of layers n at the interface, which depends on the molar concentration x of the alloy AlxGa1âxN, is to preclude localization of interface phonons. A small change on the phonon frequencies and branch slopes is also observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 336, Issues 2â3, 7 March 2005, Pages 259-263
Journal: Physics Letters A - Volume 336, Issues 2â3, 7 March 2005, Pages 259-263
نویسندگان
E.L. Albuquerque, E.B. Barros, V.N. Freire, J. Mendes-Filho,