دانلود مقالات ISI درباره 4H-Sic Mesfet + ترجمه فارسی

A novel 4H-SiC MESFET with serpentine channel for high power and high frequency applications

Keywords: 4H-SiC MESFET; Serpentine channel; Drain saturation current; Breakdown point shifting;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Improved double-recessed P-buffer 4H-SiC MESFETs with partial heavy doped channel

Keywords: 4H-SiC MESFET; Double-recessed drift regions (DRB); Heavy doped (HD); Drain saturation current; DC transconductance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A novel 4H-SiC MESFET with double upper gate and recessed p-buffer

Keywords: 4H-SiC MESFET; Double upper gate; Recessed p-buffer; Drain current; Gate-source capacitance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Improved performance of 4H-silicon carbide metal semiconductor field effect transistors with multi-recessed source/drain drift regions

Keywords: 4H-SiC MESFET; Recessed source/drain drift regions (RD); Multi-recessed source/drain drift regions (MRD); Breakdown voltage; Simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

A novel 4H-SiC MESFET with ultrahigh upper gate

Keywords: 4H-SiC MESFET; Ultrahigh upper gate; Depletion layer variation; Electric field modulation; Breakdown voltage;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

A novel double-recessed 4H-SiC MESFET using scattering the electric field for high power and RF applications

Keywords: 4H-SiC MESFET; Floating metal region; Recessed drift region; Maximum output power density; RF performance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

A novel 4H-SiC MESFET with multi-recessed p-buffer layer for high energy-efficiency applications

Keywords: 4H-SiC MESFET; Maximum output power density; Multi-recessed p-buffer layer; Breakdown voltage; Power added efficiency;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

A physics based analytical model for buried p-layer non-self aligned SiC MESFET for the saturation region

Keywords: Buried p-layer; 4H-SiC MESFET; Saturation region; Wide band gap semiconductor; Substrate current; Trap effects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه