دانلود مقالات ISI درباره 52.75.r + ترجمه فارسی

Modification of surface properties of polypropylene (PP) film using DC glow discharge air plasma

Keywords: 52.50.Dg; 81.65.Cf; 52.77.−j; 52.75.R; Polypropylene (PP); Glow discharge plasma; Surface energy; XPS; AFM; Adhesion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Radiation response behavior of high phosphorous doped step-index multimode optical fibers under low dose gamma irradiation

Keywords: 42.70.C; 42.81; 52.75.R; 81.15.G; 82.60:61.18.F; 78.20.COptical fibers; Chemical vapor deposition; Radiation effects; SEM S100; Defects; Absorption; Phosphates; Silicates; Radiation; Defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Temperature effect on charge density of silicon nitride films deposited in SiH4–NH3–N2 plasma

Keywords: 52.75.R; 81.15.GSilicon nitride film; Plasma enhanced chemical vapor deposition; Generalized regression neural network; Charge density; SiH4; Temperature

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Exploration of waveguide fabrication from thermally evaporated Ge–Sb–S glass films

Keywords: 42.82.E; 52.75.R; 42.70.C; 78.66.JChalcogenide films; Waveguide fabrication; Raman spectroscopy; Plasma etching; Lift-off; Waveguide loss

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Chemistry of titanium incorporation in silica glass of optical preform for making of Ti doped optical fibre by the MCVD process

Keywords: 42.70.C; 42.81.Bm; 52.75.R; 81.15.G; 82.60.-sTitanium doped silica glass; Optical fibres; MCVD process; Chemical thermodynamics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOCVD and characterization of Hf-silicate thin films using HTB and TEMAS

Keywords: 84.37; 52.75.R; 81.15.G; 77.55; 68.55.L; 77.84.BThin film transistors; Chemical vapor deposition; Silicates; X-ray diffraction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of pulsed plasma on low temperature growth of Pb-based ferroelectric films in direct liquid injection metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: 52.75.R; 81.15.GPulsed plasma; Direct liquid injection; MOCVD; PZT; FRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The deposition and characterization of BCN films by cathodic arc plasma evaporation

Keywords: 77.84.B; 52.75.R; 81.15.G; 81.15; 68.55; 61.16.C; 79.60.D; 79.60; 61.16.BBoron carbon nitride; BCN s; Cathodic arc plasma; Thin films; Characterization; Microstructure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Prediction of surface microtrenching by using neural network

Keywords: 81.65.C; 52.75.R; 84.35.I; 07.05.TPlasma etching; Neural networks; Computer modeling and simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Enhancement of surface properties of biomaterials using plasma-based technologies

Keywords: 52.75.R; 52.65.R; 52.65.C; 61.72.T; Plasma processing; Biomaterials; Nickel-titanium shape memory alloys; Diamond-like carbon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Initial reaction of HfO2 atomic layer deposition on silicon surfaces with different oxygen levels: A density functional theory study

Keywords: 31.15.E; 52.75.R; Dielectrics; Hafnium; Oxides; Chemisorption;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface reaction mechanism of atomic layer deposition of HfO2 on Ge(1 0 0)-2 Ã— 1: A density functional theory study

Keywords: 31.15.E; 52.75.R; Ab initio calculation; Dielectrics; Atomic layer deposition; Chemisorption;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The growth and characterization of ZnSe nanoneedles by a simple chemical vapor deposition method

Keywords: 52.75.R; 65.50; 81.05.E; 81.05.YA1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The manipulation of the carbon nanofibers growth into lateral or vertical direction with respect to the substrate synthesized with iridium catalyst

Keywords: 52.75.R; 81.05.L; 85.40.UCarbon nanofibers; Iridium catalyst; Lateral growth; Self-assembled interconnection; Semiconductor characteristics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Bioactivity of plasma implanted biomaterials

Keywords: 52.75.R; 52.65.R; 52.65.C; 61.72.TNiTi shape memory alloys; Plasma implantation; Bioactivity; Apatite; Amorphous carbon; Blood compatibility; Silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of plasma treatments on structural and electrical properties of methyl-doped silicon oxide low dielectric constant film

Keywords: 77.55; 52.75.R; 68.55.JLow k dielectric film; Plasma treatment; Structural properties; Electrical performance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Cold plasma-induced modification of the dyeing properties of poly(ethylene terephthalate) fibers

Keywords: 52.75.R; 61.16.C; 79.60; Air and Ar plasma treatment; Poly(ethylene terephthalate) fibers; Dyeing; AFM; XPS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Oxygen to silicon ratio determination of SiOxHy thin films

Keywords: 77.55; 52.75.R; Silicon oxide; Cyclotron resonance; Fourier transform infrared spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Density functional theory study of initial stage of ZrO2 atomic layer deposition on Ge/Si(100)-(2×1) surface

Keywords: 31.15.E; 52.75.R; Ab initio calculation; Dielectrics; Atomic layer deposition; Chemisorption;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of the mechanism of fractal growth of porous silicon dioxide layers from gas phase

Keywords: 52.75.R; 81.15.G; 82.65.F; Chemical vapor deposition; Fractal;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Active nitrogen species dependence on radiofrequency plasma source operating parameters and their role in GaN growth

Keywords: 81.15.H; 52.75.R; 81.15.G; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of plasma nitridation on ultra-thin gate oxide electrical and reliability characteristics

Keywords: 52.75.R; 77.84.B; 73.40.G; 85.40.Q; Plasma nitrided oxide; Rapid thermal oxynitride oxide; Gate leakage current; SILC; NBTI; TDDB;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thorn-like BN nanostructures

Keywords: 81.05.Y; 82.80.P; 52.75.R; A. Nanophase-materials; B. Chemical vapor deposition; E. Electron energy-loss spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Mechanical strength and thermally induced stress voids of carbon-coated optical fibers prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition method with different hydrogen/methane ratio

Keywords: 42.81; 97.30.H; 52.75.R; 62.40.M; Optical fibers; Carbon; Chemical vapor deposition; Stress;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Synthesis of ZnO nanowires and nanosheets by an O2-assisted carbothermal reduction process

Keywords: 52.75.R; 65.50; 81.05.E; 81.05.Y; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and electrical properties of SiO2 films deposited on Si substrates from tetraethoxysilane/oxygen plasmas

Keywords: 52.75.R; 81.15.G; 84.37; 07.10.L; 73.20; Plasma processing and deposition; TEOS (tetraethoxysilane); Silicon dioxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Memory operation of Pt-SrBi2Ta2O9-Y2O3-Si field-effect transistor with damage-free selective dry etching process

Keywords: 85.50; 81.65.C; 52.75.R; 85.30.T; Ferroelectric; Ferroelectric memory; Field-effect transistor; SBT; RIE; Etch-stop;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Controllable growth of individual, uniform carbon nanotubes by thermal chemical vapor deposition

Keywords: 52.75.R; 81.05; 81.15.G; Chemical vapor deposition; Individual carbon nanotubes; Synthesis;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The electrochromic behavior of nickel oxide films sprayed at different preparative conditions

Keywords: 52.75.R; 78.20.J; 78.20; Spray pyrolsis; Electrochromic; Optical properties; Nickel oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of mass transport phenomena in an upflow cold-wall CVD reactor by gas phase Raman spectroscopy and modeling

Keywords: 52.75.R; 47.32; 82.80.C; 47.11; A1. In situ Raman spectroscopy; A1. Mass transfer; A1. Stagnation-point-flow reactor; A1. Two-dimensional axisymmetric reactor model;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth kinetics study in halide chemical vapor deposition of SiC

Keywords: 82.60; 52.75.R; 81.15.G; 81.10.A; 81.10; A1. Growth models; A2. Chemical vapor deposition processes; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B1. Silicon carbide; B2. Wide bandgap semiconductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه