دانلود مقالات ISI درباره 81.05Ea + ترجمه فارسی

Deposition of BN films on metal substrates from a fluorine-containing plasma

Keywords: 81.15Gh; 68.55Nq; 81.05Ea; 68.35 Np; Boron nitride; Film; Coating; Chemical vapor deposition (CVD) (deposition); Plasma-enhanced CVD (deposition); Adhesion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Structural and surface characterization of large diameter, crystalline AlN substrates for device fabrication

Keywords: 81.05Ea; 81.10BkA1. Substrates; A2. Bulk crystal growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

HVPE of scandium nitride on 6H-SiC(0 0 0 1)

Keywords: 81.05Ea; 61.05cp; 61.72sd; 81.15Kk; 81.70Jb; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2 Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of GaAs “nano ice cream cones” by dual wavelength pulsed laser ablation

Keywords: 81.05 Bx; 81.05Ea; 81.05Zx; 61.46.−w; 81.10.−h; 81.15.Fg; Dual wavelength PLD; Nano “ice cream cone”;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Control of surfaces and heterointerfaces of AlGaN/GaN system for sensor devices and their on-chip integration on nanostructures

Keywords: 81.05Ea; 85.30De; 73.40+y; 85.30Tv; 81.07Vb; 81.15HiGaN; AlGaN; Sensors; Schottky diodes; HFETs nanowires; MBE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Si layer transfer to InP substrate using low-temperature wafer bonding

Keywords: 81.05Ea; 81.65−b; 78.55−m; 78.30−j; Wafer bonding; SOI; InP; Oxygen plasma; Micro-Raman; Thin-film;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Microscopic investigations of aluminum nitride thin films grown by low-temperature reactive sputtering

Keywords: 81.05Ea; 81.15.Cd; Aluminum nitride; Low-temperature growth; Atomic force microscopy; Surface roughness;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of InAs/GaSb short-period superlattices for high-resolution mid-wavelength infrared focal plane array detectors

Keywords: 85.60.Gz; 81.15.Hi; 81.05Ea; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Antimonides; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه