![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
SiC epitaxial growth on Si(0Â 0Â 1) substrates using a BP buffer layer
Keywords: 81.15.-Z; 81.15.âz; A1. Defect; A1. Growth mechanism; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. 3C-SiC; B1. Phosphides;