دانلود مقالات ISI درباره A1 مورفولوژی سطح + ترجمه فارسی

Surface morphology of AlGaN/GaN heterostructures grown on bulk GaN by MBE

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium nitride; A1. Surface morphology; A1. Atomic force microscopy; B3. AlGaN/GaN heterostructure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

The role of hydrogen in carbon incorporation and surface roughness of MOCVD-grown thin boron nitride

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Hot wall epitaxy; B1. Boron nitride epitaxy A1.SIMS characterization; A1. Surface morphology;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Optimization of metamorphic buffers for MBE growth of high quality AlInSb/InSb quantum structures: Suppression of hillock formation

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Surface morphology; A1. Dislocation filtering; A3. Metamorphic buffers; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Surfactant-mediated epitaxy of thin germanium films on SiGe(001) virtual substrates

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Surface morphology; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Surfactant mediated epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Strained Ge; B2. Virtual substrates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Evolution of the surface morphology of AlN epitaxial film by HVPE

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Surface morphology; A1. AlN; A1. AFM; A3. HVPE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Investigations on 2D and 3D topography and Z-scan studies of zinc chloride co-doped L-lysinium succinate

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Single crystal; A1. Surface morphology; A1. Z-scan; A2. Solution growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Connection between GaN and InGaN growth mechanisms and surface morphology

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Atomic force microscopy; A1. Surface morphology; A1. Evaporation and recondensation; A1. Surface diffusion; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Group III-nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 49 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Surface morphology study of basic ammonothermal GaN grown on non-polar GaN seed crystals of varying surface orientations from m-plane to a-plane

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Growth rate; A1. Surface morphology; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

A comprehensive diagram to grow (0001)InGaN alloys by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Composition; A1. Growth diagram; A1. Strain; A1. Surface morphology; A3. Molecular beam; B1. InGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Morphological control of MgxZn1−xO layers grown on Ga:ZnO/glass substrates for photovoltaics

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Nanostructures; A1. Surface morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. MgxZn1−xO alloy; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Parasitic reactions; A1. Surface morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. AlN; B1. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Low-temperature RPCVD of Si, SiGe alloy, and Si1−yCy films on Si substrates using trisilane (Silcore®)

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; 68.55.−a; 81.15.Gh; 81.05.CyA1. Crystal structure; A1. Desorption; A1. Stress; A1. Surface morphology; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Wet chemical etching of silicon {1 1 1}: Etch pit analysis by the Lichtfigur method

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; 68.37.−d; 07.60.−j; 85.85.+j; 81.65.CfA1. Etching; A1. Surface morphology; A1. Optical microscopy; B1. Silicon; B3. MEMS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth conditions and surface morphology of AlN MOVPE

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.20.WtA1. AlN nanoparticles; A1. Computer simulation; A1. Surface morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. AlN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural and spectroscopic properties of AlN layers grown by MOVPE

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.55.--m; 61.10.Nz; 79.60.JvA1. HRXRD; A1. Surface morphology; A3. MOVPE; A3. Superlattice; B1. AlN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Morphological and electrical properties of InP grown by solid source molecular beam epitaxy

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.10.AJ; A1. Electron concentration; A1. High electron mobility; A1. Surface morphology; A3. InP epilayer; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigations on the effect of InSb and InAsSb step-graded buffer layers in InAs0.5Sb0.5 epilayers grown on GaAs (0 0 1)

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 68.55.Jk; 61.10.Nz; A1. Surface morphology; A1. X-ray diffraction: A2. Growth from vapor; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of arsenic temperature on the structural and electrical characteristics of InAsSb layers grown on GaAs by hot wall epitaxy

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 68.55.Jk; 61.10.Nz; A1. Surface morphology; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from vapor; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Improvement of the structural and electrical properties of InAsSb epilayer using Sb-rich InAsSb buffer layer grown by hot wall epitaxy

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 68.55.Jk; 61.10.Nz; A1. Surface morphology; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from vapor; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Three-dimensional phase field simulation for surface roughening of heteroepitaxial films with elastic anisotropy

Keywords: A1 مورفولوژی سطح; A1. Anisotropy; A1. Phase field method; A1. Surface morphology; A3. Epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه