Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. String ribbon; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
مقالات ISI A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
3D numerical design of the thermal field before seeding in an edge-defined film-fed growth system for β-Ga2O3 ribbon crystals
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Growth from melt; A2. Edge-defined film-fed growth; B1. β-Ga2O3;
Modeling high speed growth of large rods of cesium iodide crystals by edge-defined film-fed growth (EFG)
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Shaped crystal growth; B1. Halides; B2. Scintillator materials
Silicon EFG process development by multiscale modeling
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
Pressure difference across the free surface of a stable static meniscus in a possible Ge1âXSiX ribbon growth by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) technique
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 07.05.Tp; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Stepanov method; B2. Semiconducting silicon compounds;
The effect of the pressure difference across the free surface on the static meniscus shape in the case of ribbon growth by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) method
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 07.05.Tp; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Stepanov method; B2. Semiconducting silicon compounds;
Effect of buoyancy and Marangoni forces on the dopant distribution in a single crystal fiber grown from the melt by edge-defined film-fed growth (EFG) method
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 02.60.Cb; 02.60.Lj; 47.20.Bp; 47.20.Dr; 68.08.âp; 68.35.Dv; 71.20.Nr; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Mass transfer; A2. Edge-defined film-fed growth; B1. Rare earth compounds;
The effect of the pressure on the static meniscus shape in the case of tube growth by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) method
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 07.05.Tp; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Surfaces; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Growth from the melt
Voids engulfment in shaped sapphire crystals
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 44.10; 47.11.+j; 47.32; 81.05.T; 81.10.F2; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A2. Edge-defined film-fed growth; B1. Sapphire;
Large silicon crystal hollow-tube growth by the edge-defined film-fed growth (EFG) method
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 81.10.Fq; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Growth from the melt; B1. Semiconductor silicon; B3. Solar cells;
Model based optimization of some growth process parameters of a Nd:YVO4 cylindrical bar grown by edge-defined film-fed growth (EFG) method in the presence of the pressure
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 81.10.Fq; 68.08.Bc; 44.05.+e; 46.15.âx; 02.60.Lj; 05.45.âa; 44.90.+c; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Single crystal growth; A2. Growth from the melt; B3. Solid-state laser; B1. Rare earth compounds;
Numerical studies concerning the dependence of the impurity distribution on the pulling rate and on the radius of the capillary channel in the case of a thin rod grown from the melt by edge-defined film-fed growth (EFG) method
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 81.10.Fq; 68.08.Bc; 46.15.−x; 44.90.+c; 05.45.−aA1. Computer simulation; A1. Impurities; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Growth from the melt
On the minimization of the surface non-uniformities of a Nd:YAG cylindrical bar grown by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) method when the pressure in the furnace changes
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 81.10.Fq; 68.08.Bc; 46.15.âx; 44.90.+c; 05.45.âa; A1. Single crystal growth; A2. Growth from the melt; A2. Edge-defined film-fed growth; B1. Rare earth compounds; B3. Solid-state laser;
Modelling the effects of the pressure changes in the case of the growth of a thin sheet in an edge-defined film-fed growth (EFG) System
Keywords: A2 رشد تغذیه ای که توسط لبه تعریف شده است; 81.10.Fq; 68.08.Bc; 46.15.âx; 44.90.+c; 05.45.âa; A1. Single crystal growth; A2. Growth from the melt; A2. Edge-defined film-fed growth;