دانلود مقالات ISI درباره A3. Chloride Vapor Phase Epitaxy + ترجمه فارسی

Growth of thick and high crystalline quality InGaN layers on GaN (0001¯) substrate using tri-halide vapor phase epitaxy

Keywords: A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of SiC with chlorinated precursors on different off-angle substrates

Keywords: A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Enhanced growth and photoluminescence properties of SnxNy (x>y) nanowires grown by halide chemical vapor deposition

Keywords: A1. Nanostructures; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Vanadium doping using VCl4 source during the chloro-carbon epitaxial growth of 4H-SiC

Keywords: A1. Crystal morphology; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition; A3. Hot wall epitaxy; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Fabrication of a freestanding GaN layer by direct growth on a ZnO template using hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A1. Freestanding GaN; A1. Polarity; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B1. Zinc compounds; B1. Gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low-temperature homoepitaxial growth of 4H–SiC with CH3Cl and SiCl4 precursors

Keywords: A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition; A3. Chloride vapor phase epitaxy; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Triangular defects in the low-temperature halo-carbon homoepitaxial growth of 4H-SiC

Keywords: A1. Growth models; A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition; A3. Hot wall epitaxy; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of 4H–SiC at low temperatures using CH3Cl carbon gas precursor: Growth rate, surface morphology, and influence of gas phase nucleation

Keywords: 81.15.Gh; 81.15.Kk; 81.05.Hd; 81.10.Aj; 68.55.JkA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition; A3. Chloride vapor phase epitaxy; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه