کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792756 | 1023656 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of a freestanding GaN layer by direct growth on a ZnO template using hydride vapor phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fabrication of a freestanding GaN layer by direct growth on a ZnO template using hydride vapor phase epitaxy Fabrication of a freestanding GaN layer by direct growth on a ZnO template using hydride vapor phase epitaxy](/preview/png/1792756.png)
چکیده انگلیسی
A new hydride vapor phase epitaxy (HVPE)-based approach for the fabrication of freestanding GaN (FS-GaN) substrates was investigated. For the direct formation of low-temperature GaN (LT-GaN) layers, the growth parameters were optimized: the polarity of ZnO, the growth temperature, and the V/III ratio. The FS-GaN layer was achieved by gas etching in an HVPE reactor. A fingerprint of Zn out-diffusion was detected in the photoluminescence measurements, especially for the thin (80 μm) FS-GaN film; however, a thicker film (400 μm) was effectively reduced by optimization of GaN growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 14, 1 July 2010, Pages 2150–2153
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 312, Issue 14, 1 July 2010, Pages 2150–2153
نویسندگان
Si-Young Kim, Hyun-Jae Lee, Seung-Hwan Park, Woong Lee, Mi-Na Jung, Katsushi Fujii, Takenari Goto, Takashi Sekiguchi, Jiho Chang, Gyungsuk Kil, Takafumi Yao,