دانلود مقالات ISI درباره A3 epitaxy داغ دیوار + ترجمه فارسی

Growth and photocurrent characteristics of the photoconductive MnAl2S4 layers grown by hot-wall epitaxy method

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; A1. Characterization; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds; MnAl2S4;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Step-controlled homoepitaxial growth of 4H-SiC on vicinal substrates

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; A1. Surface roughening; A3. Chemical vapor deposition; A3. Hot-wall epitaxy; B1. Silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The influence of growth conditions on carrier lifetime in 4H-SiC epilayers

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Controlled growth of hexagonal GaN pyramids by hot-wall MOCVD

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; A3. Hot-wall epitaxy; A3. Metal−organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; A1. Doping; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hetero-epitaxial crystal growth of CdTe on GaAs substrates

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; 81.15.−z; 81.05.DzA1. Crystal morphology; A3. Hot-wall epitaxy; A3. Vapour phase epitaxy; B2. Semiconductor II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Sublimation growth of an in-situ-deposited layer in SiC chemical vapor deposition on 4H-SiC(1 1 2¯ 0)

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; 68.37.Lp; 68.37.Ps; 68.47.Fg; 68.55.Ln; 68.49.Sf; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth and energy band gap of CaSeS thin films prepared by hot-wall epitaxy

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; 61.10.−i; 78.40.−q; 81.05.Dz; 81.15.Kk; A1. X-ray diffraction; A3. Hot-wall epitaxy; B1. Calcium compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and characterization of nitrogen-doped C-face 4H-SiC epilayers

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; 81.15.Gh; 68.55.Jk; 68.55.LnA1. Crystal morphology; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of 4H–SiC at low temperatures using CH3Cl carbon gas precursor: Growth rate, surface morphology, and influence of gas phase nucleation

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 81.05.Hd; 81.10.Aj; 68.55.JkA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition; A3. Chloride vapor phase epitaxy; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optical evidences of ZnS0.78Te0.22 quantum dots formed in ZnTe matrix

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; 78.40.Fy; 78.66.Hf; A1. Low-dimensional structures; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High growth rates (>30 μm/h) of 4H-SiC epitaxial layers using a horizontal hot-wall CVD reactor

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; 81.15.Gh; A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and structural properties of rocksalt MnSe/GaAs epilayer by hot-wall epitaxy

Keywords: A3 epitaxy داغ دیوار; 61.10.−i; 75.50.Pp; 73.61.Ga; A1. Strain; A3. Hot-wall epitaxy; B1. α-MnSe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه