دانلود مقالات ISI درباره A3 Epitaxy مایع فازی + ترجمه فارسی

Plasma-assisted electroepitaxy of GaN layers from the liquid Ga melt

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; A3. Liquid-phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth condition related orientation transition for YBa2Cu3O7−δ films on NdGaO3 substrate

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; A1. Etch-back; A1. Out-of-plane orientation transition; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. YBCO; B2. Oxide superconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Morphological instability of heteroepitaxial growth on vicinal substrates: A phase-field crystal study

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Morphological stability; A1. Stress; A1. Substrates; A3. Liquid-phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of dislocation density on microchannel epitaxy of GaAs on GaAs/Si substrate

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; A3. Liquid-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of an applied electric current in epitaxial growth of GaAs layer on patterned GaAs substrate

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 66.30.Qa; 81.15.Lm; 81.05.Ea; A1. Electromigration; A3. Current-controlled liquid-phase epitaxy; A3. Liquid-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Nucleation on the substrate surfaces during liquid flux-mediated vacuum deposition of rubrene

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 71.20.Rv; 81.10.−hA2. Growth from solutions; A2. Growth from vapor; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Aromatic compounds; B1. Organic compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Temperature dependence of growth orientation of YBa2Cu3O6+δ film on NdGaO3 using liquid-phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.10.Dm; 81.15.Lm; 74.72.Bk; 74.78.Bz; A1. Orientation; A2. Growth from solution; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Cuprates; B2. Oxide superconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of cooling rate on the liquid-phase epitaxial growth of Zn3P2

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.05.Hd; 81.15.Lm; 61.05.Cp; 68.37.Hk; 73.61.LeA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Solution growth of high-quality 3C-SiC crystals

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.05.Hd; 81.10.DnA1. Solvents; A2. Single-crystal growth; A2. Top-seeded solution growth; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Liquid-phase epitaxy of GaAs by temperature difference method to realize wide lateral growth

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.05.Ea; 81.15.Lm; A3. Liquid-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Synthesis of GaN bulk crystals and melt growth of GaN layers under nitrogen plasma

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 52.77.−j; 81.10.−h; A2. Growth from melt; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. nitride; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Microstructural investigation of 3C-SiC islands grown by VLS mechanism on 6H-SiC substrate

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.15.Lm; 68.55.Jk; 68.37.Lp; A1. Electron microscopy; A1. Structural defects; A3. Liquid-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Reduction of the dislocation density in GaN during low-pressure solution growth

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 61.72.Bb; 61.72.Ff; 61.72.Lk; 81.05.Ea; 81.15.LmA1. Characterization; A1. Line defects; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

InAs0.3Sb0.7 films grown on (1 0 0) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 68.55.Jk; 81.15.Lm; 81.05.EaA1. Crystal structure; A3. Liquid-phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of different masks on GaAs microtips grown by selective liquid-phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.15.Lm; 07.79.Fc; A1. Scanning electron microscopy; A3. Liquid-phase epitaxy; B2. GaAs microtips;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Considerations on facetting and on the atomic structure of the phase boundary in low-pressure solution growth of GaN

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.05.Ea; 81.15.Lm; 82.65.DpA1. Surface structure; A2. Growth from high-temperature solutions; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of CdxHg1-xTe/CdTe heterostructures formed by LPE. Part I. Isothermal conditions

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; A1. Computer simulation; A3. Liquid-phase epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Liquid phase homoepitaxial growth of 6H-SiC on (011¯5) oriented substrates

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.10.D; 81.05.H; A3. Liquid-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Angular dependence of lateral growth rate and kink-step structure on InP surface during liquid phase epitaxial condition

Keywords: A3 Epitaxy مایع فازی; 81.15.Lm; A1. Crystal morphologies; A1. Growth models; A1. Surface structure; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه