دانلود مقالات ISI درباره A3. Low Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy + ترجمه فارسی

Direct MOVPE growth of semipolar (112¯2) AlxGa1−xN across the alloy composition range

Keywords: A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene

Keywords: A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Graphene; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Coaxial InGaN epitaxy around GaN micro-tubes: Tracing the signs

Keywords: A1. Impurities; A1. Nanostructures; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H–SiC

Keywords: A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of doped InAsyP1−y nanowires with InP shells

Keywords: A1. Nanostructures; A1. Crystal structure; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates

Keywords: A1. Substrates; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Hexagonal BN epitaxial growth on (0 0 0 1) sapphire substrate by MOVPE

Keywords: 81.15.Gh; 61.10.Nz; 81.05.EaA1. Crystal structure; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Avoidance of surface-related defects in MOVPE-grown InGaP layers

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Ea; 73.40.Kp; 73.61.Ey; 71.55.Eq; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه