دانلود مقالات ISI درباره A3. Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy + ترجمه فارسی

Selective-area growth and magnetic characterization of lateral MnAs nanowires

Keywords: A1. Nanostructures; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth rate for the selective epitaxial growth of III-V compounds inside submicron shallow-trench-isolation trenches on Si (001) substrates by MOVPE: Modeling and experiments

Keywords: A1. Growth models; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

On mechanisms governing AlN and AlGaN growth rate and composition in large substrate size planetary MOVPE reactors

Keywords: A1. Computer simulation; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. AlGaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Defect analysis in AlGaN layers on AlN templates obtained by epitaxial lateral overgrowth

Keywords: A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

High material-efficiency MOVPE of GaAs without degradation of photovoltaic performances

Keywords: A1. Crystal morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InP substrate evaluation by MOVPE growth of lattice matched epitaxial layers

Keywords: A1. Atomic force microscopy; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nitrogen content of GaAsN quantum wells by in situ monitoring during MOVPE growth

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Ea; 81.70.Fy; 78.67.De; A1. In situ monitoring; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Dilute nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

InAs quantum dots grown on InGaAs buffer layers by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: 68.65.+g; 81.15.Gh; 68.55.Jk; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Nanostructures; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه