Keywords: پراکندگی آلیاژ; Thermal conductivity; Alloy scattering; Multi-component alloys;
مقالات ISI پراکندگی آلیاژ (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Exploration the quantum and transport lifetimes of electron gas in partially alloyed AlGaAs quantum well
Keywords: پراکندگی آلیاژ; Semiconductor nanostructures; AlGaAs quantum well; Electronic lifetimes; Dilute alloyed; Alloy scattering; Scattering angle
Modeling of 2DEG sheet carrier density and DC characteristics in spacer based AlGaN/AlN/GaN HEMT devices
Keywords: پراکندگی آلیاژ; AlxGa1âxN/AlN/GaN; 2DEG sheet charge density; Triangular quantum well; DC characteristics model; Piezoelectric and spontaneous polarization; Alloy scattering;
InN and ln1−XGaX N: calculation of hall mobilities and effects of alloy disorder and dislocation scatterings
Keywords: پراکندگی آلیاژ; Semiconductor alloys; Dislocation mobility; Alloy scattering
The role of carbon on performance of strained-Si:C surface channel NMOSFETs
Keywords: پراکندگی آلیاژ; Carbon incorporation; Strain; Alloy scattering; Sheet resistance
Studying the impact of carbon on device performance for strained-Si MOSFETs
Keywords: پراکندگی آلیاژ; Strained-Si:C; Mobility; Strain; Alloy scattering; Interface state density; SiGe buffer; Carbon; Transmission electron microscopy
Theoretical study of electron mobility for silicon-carbon alloys
Keywords: پراکندگی آلیاژ; Silicon-carbon alloy; Mobility; Alloy scattering; Impurity scattering; Strain;
Variational results for electron mobility in modulation-doped In0.53Ga0.47As/InP single symmetric quantum wells
Keywords: پراکندگی آلیاژ; Quantum wells; InGaAs/InP; Alloy scattering; Electron mobility;