کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749186 | 894814 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The role of carbon on performance of strained-Si:C surface channel NMOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Carbon incorporation in strained-Si surface channel NMOSFET is investigated. Due to the ∼52% lattice mismatch between silicon and carbon, the channel is expected to have higher strain than strained-Si, indicating that the carrier mobility can be enhanced significantly. There is a ∼40% electron mobility enhancement for incorporated carbon content of 0.25% in strained-Si NMOSFETs compared to unstrained Si channels. The performance of channels with increased strain is not as high as theoretical predictions. This is due to the large Dit at the oxide/strained-Si:C interface and alloy scattering, which degrades carrier mobility enhancement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 10, October 2008, Pages 1569–1572
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 10, October 2008, Pages 1569–1572
نویسندگان
M.H. Lee, S.T. Chang, S. Maikap, C.-F. Huang,