دانلود مقالات ISI درباره B2 نیمه هادی فسفید گالیم + ترجمه فارسی

In-situ curvature monitoring and X-ray diffraction study of InGaAsP/InGaP quantum wells

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Reduced dislocation density in GaxIn1−xP compositionally graded buffer layers through engineered glide plane switch

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A1. High resolution x-ray diffraction; A1. Line defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effects of dislocation strain on the epitaxy of lattice-mismatched AlGaInP layers

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A1. Surface processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Progress in large area organometallic vapor phase epitaxy for III–V multijunction photovoltaics

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Precise structure control of GaAs/InGaP hetero-interfaces using metal organic vapor phase epitaxy and its abruptness analyzed by STEM

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A1. Growth models; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and characterization of sub-wavelength-sized GaInP ridge structures on GaAs substrates

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Controlled growth of InP/In0.48Ga0.52P quantum dots on GaAs substrate

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Low temperature growth of Ga1−xInxP bulk crystals from InSb-rich melt

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A1. Phase diagrams; A1. Solid solutions; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting III-V compounds; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Metamorphic growth of tensile strained GaInP on GaAs substrate

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

AlGaAs/InGaP interfaces in structures prepared by MOVPE

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.35.CtA1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Avoidance of surface-related defects in MOVPE-grown InGaP layers

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 73.40.Kp; 73.61.Ey; 71.55.Eq; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; 81.05.Ea; 82.33.Ya; 68.47.Fg; A1. Interface; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Room-temperature yellow-amber emission from InGaP quantum wells grown on an InGaP metamorphic buffer layer on GaP(1 0 0) substrates

Keywords: B2 نیمه هادی فسفید گالیم; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه