کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829752 | 1524498 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room-temperature yellow-amber emission from InGaP quantum wells grown on an InGaP metamorphic buffer layer on GaP(1Â 0Â 0) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we present a systematic investigation of the structural and optical properties of InGaP using a metamorphic InxGa1âxP buffer layer grown on GaP(1 0 0) substrates. When grown at 400 °C, the simpler constant-composition metamorphic buffer layer has a smoother surface morphology, as compared to that grown at 500 °C, and results in comparable structural quality of the top layers as a linearly graded metamorphic buffer layer. In0.5Ga0.5P quantum wells with In0.3Ga0.3P barriers grown on a constant-composition metamorphic buffer layer exhibit room-temperature bright photoluminescence in the amber wavelength at 610 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 279, Issues 1â2, 15 May 2005, Pages 20-25
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 279, Issues 1â2, 15 May 2005, Pages 20-25
نویسندگان
V.A. Odnoblyudov, C.W. Tu,