Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; B1. Nitrides; B2. Semiconductor aluminum gallium nitride compounds; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Buffer layer;
مقالات ISI A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Low dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Quantum dots; B3. Heterojunction semiconductor devices; Molecular beam epitaxy; Heterostructure; Quantum dot; Spin; Nuclear spin; Qu
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Arsenates; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular Beam Epitaxy; B1. Niobates; B1. Oxides; A1. Phase diagrams;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Low dimensional structures; A3. Molecular Beam Epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Growth models; A1. Germanium; A1. Nanomaterials; A3. Molecular beam epitaxy;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting materials;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon; Low-coherence interferometry; Real-time temperature measurements
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Superlattices; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B3. Infrared detector;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Type-II superlattices; A3. AlSb/InAs/GaSb quantum wells; B3. Infrared photodetectors;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; Lithium perchlorate; Niobium oxides; Auger electron spectroscopy;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Surfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Metals; B2. Semiconducting III-V materials;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Phase diagram; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy;
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Infrared devices
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Multilayers; B1. Suboxides; B2. Semiconducting silicon compounds
Overcoming Ehrlich-Schwöbel barrier in (1â¯1â¯1)A GaAs molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; B2. Semiconducting gallium arsenide; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Surface processes; A1. Atomic force microscopy; A1. Diffusion; A1. Nucleation; A1. Recrystallization;
Digitally grown AlInAsSb for high gain separate absorption, grading, charge, and multiplication avalanche photodiodes
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Digital alloy; B2. Semiconducting quaternary alloys; B3. Avalanche photodiodes (APDs);
Structural characterization and magnetic properties of L10-MnAl films grown on different underlayers by molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. MnAl; B1. Mn4N; B1. MgO; B2. Magnetic materials;
Growth rate independence of Mg doping in GaN grown by plasma-assisted MBE
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Gallium nitride;
Twin InSb/GaAs quantum nano-stripes: Growth optimization and related properties
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. InSb twin nano-stripes;
Spontaneous nanostructure formation in GaAsBi alloys
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds; B1. Bismuth compounds; B1. Alloys;
In situ determination of the growth conditions of GaSbBi alloys
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. GaSbBi; B2. III-V-Bi alloys;
Catalyst-free growth of lateral InAs nanowires
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanowires; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials;
Growth of N-polar GaN by ammonia molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Morphological stability; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;
Molecular beam epitaxy and characterization of Mg-doped GaN epilayers grown on Si (0â¯0â¯1) substrate through controlled nanowire coalescence
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;
Growth optimization and electronic structure of ultrathin CoO films on Ag(001): A LEED and photoemission study
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Surface structure; A1. Interfacial states; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides;
Control of conduction type in ferromagnetic (Zn,Sn,Mn)As2 thin films by changing Mn content and effect of annealing on thin films with n-type conduction
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Inorganic compounds; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting ternary compounds;
Impact of temperature and nitrogen composition on the growth of GaAsPN alloys
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A2. 2-D epitaxial growth; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrogen composition; B1. GaAsPN; B3. Photovoltaic applications;
Evolution of indium segregation in metal-polar In0.17Al0.83N lattice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; A1. Segregation; B2. Semiconducting III-V materials; A1. Characterization;
Optimization of the interfacial misfit array growth mode of GaSb epilayers on GaAs substrate
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium arsenide substrate; B2. Semiconducting III-V materials;
Growth and characterisation of MnSb(0â¯0â¯0â¯1)/InGaAs(1â¯1â¯1)A epitaxial films
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. MnSb; B2. Half-metallic ferromagnet; B1. InGaAs;
Investigation of defect creation in GaP/Si(0â¯0â¯1) epitaxial structures
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;
Epitaxial growth and magnetic properties of Fe4âxMnxN thin films grown on MgO(0â¯0â¯1) substrates by molecular beam epitaxy
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Fe4N; B1. MgO; B1. Mn4N;
X-ray and Raman determination of InAsSb mole fraction for x <0.5
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;
Fabrication of InAs quantum ring nanostructures on GaSb by droplet epitaxy
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Low dimensional structure; A1. InAs nanostructures; A1. In-migration; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;
Interactions between Sb and As on InAs(0â¯0â¯1) surfaces
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Surface structure; A1. Phase diagrams; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;
Surface morphology of AlGaN/GaN heterostructures grown on bulk GaN by MBE
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium nitride; A1. Surface morphology; A1. Atomic force microscopy; B3. AlGaN/GaN heterostructure;
Effects of in-situ UV irradiation on the uniformity and optical properties of GaAsBi epi-layers grown by MBE
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Impurities; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials;
Structural and electrical properties of Ge-on-Si(0â¯0â¯1) layers with ultra heavy n-type doping grown by MBE
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Impurities; A1. Doping; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium;
Growth and characterization of an InSb infrared photoconductor on Si via an AlSb/GaSb buffer
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;
Careful stoichiometry monitoring and doping control during the tunneling interface growth of an nâ¯+â¯InAs(Si)/pâ¯+â¯GaSb(Si) Esaki diode
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Esaki tunnel diodes; B3. Tunnel field effect transistors;
Formation mechanisms of single-crystalline InN quantum dots fabricated via droplet epitaxy
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Surfaces; A2. Single crystal growth; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium compounds;
MBE growth of few-layer 2H-MoTe2 on 3D substrates
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Tellurites; B2. Semiconducting materials; A1. X-ray diffraction;
Growth of AlGaN alloys under excess group III conditions: Formation of vertical nanorods
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Nitrides;
Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy;
Novel GaN-based vertical heterostructure field effect transistor structures using crystallographic KOH etching and overgrowth
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Wet etching; A1. Semi-polar (11-22) GaN; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; B1. AlGaN/GaN; B3. Vertical Heterostructure Field Effect Transisto (VHFET);
Structural and magnetic properties of (Zn,Fe)Te thin films grown by MBE under Zn-rich flux condition
Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Tellurites; B2. Magnetic materials; Semiconducting II-VI materials;