کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489642 | 1524370 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Novel GaN-based vertical heterostructure field effect transistor structures using crystallographic KOH etching and overgrowth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A novel V-groove vertical heterostructure field effect transistor structure is proposed using semi-polar (11-22) GaN. A crystallographic potassium hydroxide self-limiting wet etching technique was developed to enable a damage-free V-groove etching process. An AlGaN/GaN HFET structure was successfully regrown by molecular beam epitaxy on the V-groove surface. A smooth AlGaN/GaN interface was achieved which is an essential requirement for the formation of a high mobility channel.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 459, 1 February 2017, Pages 185-188
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 459, 1 February 2017, Pages 185-188
نویسندگان
H. Qian, K.B. Lee, S. Hosseini Vajargah, S.V. Novikov, I. Guiney, Z.H. Zaidi, S. Jiang, D.J. Wallis, C.T. Foxon, C.J. Humphreys, P.A. Houston,