کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1789771 1524393 2016 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Supersaturation state effect in diffusion induced Ge nanowires growth at high temperatures
ترجمه فارسی عنوان
اثر ناپیوستگی بیش از حد در رشد نانوسیم های جو ناشی از انتشار در دمای بالا
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
We report on supersaturation state effect in diffusion-induced vapor-liquid-solid growth of Ge nanowires at high temperature. Our experimental investigation establishes that at T≥550°C the growth is hindered while the growth limitation is not resulted from a high value of the desorption rate. We demonstrate that the suppressed growth is a result of the droplets large chemical potential that inhibit the supersaturation state. This results either in a strong growth limitation due to a significant droplets enlargement or to a growth cessation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 436, 15 February 2016, Pages 51-55
نویسندگان
, , , , , ,