کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148527 | 1524337 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of InAs quantum ring nanostructures on GaSb by droplet epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fabrication of InAs quantum ring nanostructures on GaSb by droplet epitaxy Fabrication of InAs quantum ring nanostructures on GaSb by droplet epitaxy](/preview/png/8148527.png)
چکیده انگلیسی
In this article, we report the formation of InAs quantum ring nanostructures (QRNs) on GaSb (0â¯0â¯1) surface by droplet epitaxy (DE) mode using molecular beam epitaxy. We examined the impact of various growth conditions, including substrate temperature (Ts), As2 beam equivalent pressure (BEP) and surface stoichiometry, on the shape, density and size of the InAs QRNs. We confirmed that the InAs QRNs have better rotational symmetry at relatively high Ts and low As2 BEP. The symmetry of the QRN is due to the isotropic indium (In) out-migration along [1â¯1â¯0] and [1â¯â1â¯0], controlled via change in stoichiometry (surface As coverage) with temperature and the As2 BEP. These results indicate that we can realize InAs QRN on GaSb surface by DE process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 492, 15 June 2018, Pages 71-76
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 492, 15 June 2018, Pages 71-76
نویسندگان
Vinita Dahiya, Marziyeh Zamiri, Mo Geun So, David A. Hollingshead, JongSu Kim, Sanjay Krishna,