کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789946 | 1524402 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires
ترجمه فارسی عنوان
مدل انتشار گشتاور و دسته بندی گام در طرفین نانوسیم ها
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
Radial growth of vertically aligned nanowires involves formation and propagation of monoatomic steps at atomically smooth nanowire sidewalls. Here we study the step dynamics with a step flow model taking into account the presence of a strong sink for adatoms at top of the nanowire and adatom exchange between the nanowire sidewall and surrounding substrate surface. Analytical expressions for velocities of steps propagating from the nanowire base to the nanowire top are obtained. It is shown that the step approaching the nanowire top will slow down if the top nanowire facet is a stronger sink for adatoms than the sidewall step. This might trigger bunching of the steps at the sidewall resulting in development of the pencil-like shape of nanowires such as observed in, e.g., the Au-assisted MBE growth of InAs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 427, 1 October 2015, Pages 60-66
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 427, 1 October 2015, Pages 60-66
نویسندگان
Sergey N. Filimonov, Yuri Yu. Hervieu,