کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148373 | 1524332 | 2018 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-ray and Raman determination of InAsSb mole fraction for x <0.5
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: X-ray and Raman determination of InAsSb mole fraction for x <0.5 X-ray and Raman determination of InAsSb mole fraction for x <0.5](/preview/png/8148373.png)
چکیده انگلیسی
InAsSb epilayers grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy have been studied using X-ray diffraction and Raman scattering. X-ray diffraction was used to determine the mole fraction of presented samples. In Raman spectrum, we analyzed for each sample not only the position of LO InAs and InSb phonons but also intensities of those. We found correlation between intensities ratio of LO phonons and the mole fraction of measured samples and we proposed a method how to calculate InAsSb mole fraction only using Raman spectroscopy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 498, 15 September 2018, Pages 137-139
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 498, 15 September 2018, Pages 137-139
نویسندگان
K. Murawski, K. Grodecki, D. Benyahia, A. Wysmolek, B. Jankiewicz, P. Martyniuk,