کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149799 | 1524404 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transferring-free and large-area graphitic carbon film growth by using molecular beam epitaxy at low growth temperature
ترجمه فارسی عنوان
رشد کربن گرافیتی آزاد و بزرگ منطقه با استفاده از اپیتاکیای پرتو مولکولی در دمای پایین رشد
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
Graphitic carbon films prepared by using molecular beam epitaxy (MBE) on metal templates with different thicknesses deposited on SiO2/Si substrates are investigated in this paper. With thick Cu templates, only graphitic carbon flakes are obtained near the Cu grain boundaries at low growth temperatures on metal/SiO2 interfaces. By replacing the Cu templates with thin Ni templates, complete graphitic carbon films with superior crystalline quality is obtained at 600 °C on SiO2/Si substrates after removing the Ni templates. The enhanced attachment of the graphitic carbon film to the SiO2/Si substrates with reduced Ni thickness makes the approach a promising approach for transferring-free graphene preparation at low temperature by using MBE.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 177-180
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 177-180
نویسندگان
Meng-Yu Lin, Cheng-Hung Wang, Chun-Wei Pao, Shih-Yen Lin,