کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149083 | 1524348 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Overcoming Ehrlich-Schwöbel barrier in (1â¯1â¯1)A GaAs molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Recrystallization - A1 دوباره سازیA1. Surface processes - A1 فرایندهای سطحA1. Atomic force microscopy - A1 میکروسکوپ نیروی اتمیA1. Nucleation - A1 هستهA1. Diffusion - A1. رادیو و تلویزیونA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB2. Semiconducting gallium arsenide - B2 آرسنید گالیوم نیمه هادی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Overcoming Ehrlich-Schwöbel barrier in (1â¯1â¯1)A GaAs molecular beam epitaxy Overcoming Ehrlich-Schwöbel barrier in (1â¯1â¯1)A GaAs molecular beam epitaxy](/preview/png/8149083.png)
چکیده انگلیسی
In this work, we first study the effect of different growth parameters on the molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs layers on (1â¯1â¯1)A oriented substrates. After that we present a method for the MBE growth of atomically smooth layers by sequences of growth and annealing phases. The samples exhibit low surface roughness and good electrical properties shown by atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM) and van-der-Pauw Hall measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 481, 1 January 2018, Pages 7-10
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 481, 1 January 2018, Pages 7-10
نویسندگان
Julian Ritzmann, Rüdiger Schott, Katherine Gross, Dirk Reuter, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,