کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148803 | 1524345 | 2018 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of in-situ UV irradiation on the uniformity and optical properties of GaAsBi epi-layers grown by MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In-situ UV illumination influences the incorporation dynamics of bismuth adatom in GaAs. Here we use the inherent variation of the fluence across the sample to explore the role of the incident irradiation. With illumination it is found that steady state growth processes are achieved more quickly resulting in more abrupt interfaces, as well as uniform GaAs1-xBix epi-layers. Comparisons of low temperature photoluminescence spectra show an increasing density of clusters of incorporated bismuth atoms with decreasing incident fluence.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 484, 15 February 2018, Pages 7-11
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 484, 15 February 2018, Pages 7-11
نویسندگان
Daniel A. Beaton, M. Steger, T. Christian, A. Mascarenhas,