دانلود مقالات ISI درباره B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه + ترجمه فارسی

MBE growth of Topological Isolators based on strained semi-metallic HgCdTe layers

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; A1.Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Topological insulator; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

The effect of structural vacancies on the twins in defect zinc-blende crystal Hg3In2Te6 grown by Bridgman method

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; A1. Planar defects; A1. Point defects; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting mercury compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Analysis of thermal cycle-induced dislocation reduction in HgCdTe/CdTe/Si(211) by scanning transmission electron microscopy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials; B2. Semiconducting mercury compounds; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Reprint of: State of the art of the heavy metal iodides as photoconductors for digital imaging

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting mercury compounds; B2. Semiconducting lead compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

State of the art of the heavy metal iodides as photoconductors for digital imaging

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting mercury compounds; B2. Semiconducting lead compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Platelet growth of mercuric iodide

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of oriented polycrystalline α-HgI2 films by ultrasonic-wave-assisted physical vapor deposition

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; A1. Characterization; A1. Morphology; A2. Growth from vapor; A3. Physical vapor phase deposition processes; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Phase, nucleation and coalescence of HgI2 onto amorphous substrates

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; 68.55.A−; 68.35.R1; 81.15.Kk; A1. Nucleation; A3. Graphoepitaxy; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Microstructure of interfacial HgTe/CdTe superlattice layers for growth of HgCdTe on CdZnTe (2 1 1)B substrates

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; 61.73.−y; 68.37.Lp; 68.65.Cd; 81.05.DA1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting mercury compounds; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of the source temperature on the formation of a metastable HgI2 phase and consequences for the nucleation and growth behaviors in PVT ampoules

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; 81.10.Bk; 64.60.My; 64.60.Qb; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A1. Phase equilibria; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Tetragonal red and yellow HgI2–CdI2 crystals for X- and γ-ray solid-state detectors directionally solidified under argon pressure of 20 atm

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; 81.05.Hd; 81.10.Fq; 81.30.FbA1. Characterization; A2. Directional solidification; B2. Semiconducting mercury compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

New solid-state sensing materials for gaseous dimethylcadmium, di-iso-propyltelluride and dimethylmercury

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی جیوه; 81.05.Dz; 81.15.Gh; 06.60.Wa; A1. Safety sensors; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Cadmium precursors; B1. Mercury precursors; B1. Tellurium precursors; B2. Semiconducting cadmium compounds; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه